内存时序简介(内存常用时序有哪些)

阅读:0 来源: 发表时间:2022-06-01 16:21作者:潘怡孜

内存时序简介(内存常用时序有哪些)

郭胜治网友提问:

内存时序简介

优质答案:

一、内存时序(英语:Memory timings或RAM timings)是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数:CL、TRCD、TRP和TRAS,单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字,例如7-8-8-24。

二、第四个参数(RAS)经常被省略,而有时还会加进第五个参数:Command rate(命令速率),通常为2T或1T,也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间(延迟时间)。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的终极元素是实际的延迟时间,通常以纳秒为单位。

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