霍尔传感器原理介绍(霍尔传感器电路原理)

阅读:0 来源: 发表时间:2022-05-29 10:57作者:沈皓孝

霍尔传感器原理介绍(霍尔传感器电路原理)

林平琴网友提问:

霍尔传感器原理介绍

优质答案:

一、半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中,磁场方向垂直于薄片。当有电流I流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势eh,这种现象称为霍尔效应,该电动势称为霍尔电势,上述半导体薄片称为霍尔元件。

二、原理简述如下:激励电流I从a、b端流进,磁场B由正上方作用于薄片,这时电子e的运动方向与电流方向相反,将受到洛仑兹力FL的作用,向内侧偏移,该侧形成电子的堆积,从而在薄片的c、d方向产生电场E。电子积累得越多,FE也越大,在半导体薄片c、d方向的端面之间建立的电动势EH就是霍尔电势。

三、由实验可知,流进激励电流真个电流I越大、作用在薄片上的磁场强度B越强,霍尔电势也就越高。磁场方向相反,霍尔电势的方向也随之改变,因此霍尔传感器能用于丈量静态磁场或交变磁场。

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